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參數資料
| 型號： | PHX3N50E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| 中文描述： | 2.1 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| 封裝： | FULL PACK-3 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | PHX3N50E |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHX3N50E
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
T
hs
= 25C
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
3.4
A
T
hs
= 25C
-
-
14
A
I
S
= 3.4 A; V
GS
= 0 V
I
S
= 3.4 A; V
GS
= 0 V; dI/dt = 100 A/
μ
s
-
-
-
-
1.2
-
-
V
ns
μ
C
370
2.7
December 1998
3
Rev 1.200
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHX3N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PI4884 | TrenchMOS logic level FET |
| PIP202-12M | DC to DC converter powertrain |
| PIP3105 | KPSE 5C 5#16 PIN PLUG |
| PIP3105-P | Logic level TOPFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHX3N60E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHX45NQ11T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHX45NQ11T,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHX4N40E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHX4N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Isolated version of PHP4N50E |
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