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參數資料
| 型號： | PMBFJ211 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-channel field-effect transistors |
| 中文描述： | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | PMBFJ211 |
DATA SHEET
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC07
1997 Dec 01
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PMBFJ210; PMBFJ211;
PMBFJ212
N-channel field-effect transistors
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMBFJ212 | N-channel field-effect transistors |
| PMBT3640 | PNP 1 GHz switching transistor |
| PMBT3904D | SPLIT BOLT CONNECTOR |
| PMBT5401 | PNP high-voltage transistor |
| PMBTH10 | NPN 1 GHz general purpose switching transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PMBFJ212 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel field-effect transistors |
| PMBFJ308 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Transistor JFET N-Channel 25V TO236AB |
| PMBFJ308 T/R | 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| PMBFJ308,215 | 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| PMBFJ308T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 12MA I(DSS) | TO-236 |
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