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參數(shù)資料
型號: PN2222
英文描述: NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
中文描述: NPN硅外延平面晶體管
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 25K
代理商: PN2222
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, November 2004
P
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
* Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
2%
Parameter
Value
60
30
5
600
625
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
Min.
60
30
5
Max.
Units
V
V
V
μ
A
nA
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=50V, I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=0.1mA
V
CE
=10V, *I
C
=150mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
V
CE
=20V, I
C
=20mA, f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
0.01
10
35
100
300
1
2
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
ob
* Collector-Emitter Saturation Voltage
* Base-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
V
V
300
MHz
pF
8
PN2222
General Purpose Transistor
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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PDF描述
PN2222A NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
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PN2369A Small Signal Transistors
PN2369A Mini size of Discrete semiconductor elements
PN268(NC) PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 850NM PEAK WAVELENGTH | 30M | LED-2B
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PN2222_J18Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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