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參數資料
| 型號： | PN2222ARLRP |
| 英文描述： | Improved Industry Standard CMOS 12-Bit Multiplying DAC; Package: PDIP; No of Pins: 18; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 40V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|至226AA |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | PN2222ARLRP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN22N* | 10A High Efficiency DC/DC µModule; Package: LGA; No of Pins: 104; Temperature Range: -40°C to +85°C |
| PN2484 | NPN General Purpose Amplifier |
| PN2484 | LOW LEVEL, LOW NOISE NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| PN2484 | Small Signal Transistors |
| PN2906 | PNP SILICON GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PN2222ARLRPG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN2222ARM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN2222ARP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN2222A-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 1A 40V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN2222AT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
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