欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: PNZ150(PN150)
英文描述: PNZ150 (PN150) - Silicon NPN Phototransistor
中文描述: PNZ150(PN150) -硅npn型光電晶體管
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 52K
代理商: PNZ150(PN150)
1
PNZ150
(PN150)
Silicon NPN Phototransistor
For optical control systems
Phototransistors
Electro-Optical Characteristics
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
I
CEO
I
CE(L)
λ
P
θ
t
r
, t
f*2
V
CE(sat)
Conditions
min
typ
0.01
3
800
35
4
0.2
max
1
Unit
μ
A
mA
nm
deg.
μ
s
V
Dark current
Collector photo current
Peak sensitivity wavelength
Acceptance half angle
Response time
Collector saturation voltage
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V, L = 500 lx
*1
V
CE
= 10V
Measured from the optical axis to the half power point
V
CC
= 10V, I
CE(L)
= 5mA, R
L
= 100
I
CE(L)
= 1mA, L = 1000 lx
*1
1
10
0.5
*1
Measurements were made using a tungsten lamp (color temperature T = 2856K) as a light source.
*2
Switching time measurement circuit
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
V
CEO
I
C
P
C
T
opr
T
stg
Ratings
20
20
100
–25 to +85
–30 to +100
Unit
V
mA
mW
C
C
Collector to emitter voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
2.3
1.9
4.5
±
0.3
2.54
1.2
4.5
±
0.3
3.5
±
0.2
4
±
0
2
2
2
1
1
1
1
0.45
±
0.15
2-0.45
±
0.15
2-0.98
±
0.2
R1.75
N
1: Emitter
2: Collector
Unit : mm
1
2
(Input pulse)
(Output pulse)
50
R
L
t
d
: Delay time
t
r
: Rise time (Time required for the collector photo current to
increase from 10% to 90% of its final value)
t
f
: Fall time (Time required for the collector photo current to
decrease from 90% to 10% of its initial value)
V
CC
Sig.OUT
10%
90%
Sig.IN
t
d
t
r
t
f
Features
High sensitivity
Wide spectral sensitivity, suited for detecting GaAs LEDs
Low dark current
Side-view type package
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
相關PDF資料
PDF描述
PNZ150L(PN150L) PNZ150L (PN150L) - Silicon NPN Phototransistor
PNZ154(PN154) PNZ154 (PN154) - Silicon NPN Phototransistor
PNZ155(PN155) PNZ155 (PN155) - Silicon NPN Phototransistor
PNZ158(PN158) PNZ158 (PN158) - Silicon NPN Phototransistor
PNZ313(PN313) Opto-Electronic Device - Photo Detectors - PIN Photodiodes
相關代理商/技術參數
參數描述
PNZ154 功能描述:NPN PHOTO TRANSISTOR RoHS:是 類別:傳感器,轉換器 >> 光學 - 光電檢測器 - 光電晶體管 系列:* 標準包裝:1,200 系列:- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1mA 電流 - 暗 (Id)(最大):100nA 波長:880nm 視角:24° 功率 - 最大:100mW 安裝類型:通孔 方向:頂視圖 封裝/外殼:徑向
PNZ154(PN154) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNZ154 (PN154) - Silicon NPN Phototransistor
PNZ155 功能描述:NPN PHOTOTRANS 800NM SIDE VIEW RoHS:否 類別:傳感器,轉換器 >> 光學 - 光電檢測器 - 光電晶體管 系列:* 標準包裝:1,200 系列:- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1mA 電流 - 暗 (Id)(最大):100nA 波長:880nm 視角:24° 功率 - 最大:100mW 安裝類型:通孔 方向:頂視圖 封裝/外殼:徑向
PNZ155(PN155) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNZ155 (PN155) - Silicon NPN Phototransistor
PNZ158 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type For optical control systems
主站蜘蛛池模板: 西林县| 尼木县| 姜堰市| 兴安县| 铜陵市| 麻栗坡县| 东兴市| 克东县| 奎屯市| 松江区| 甘德县| 云阳县| 安西县| 疏勒县| 彩票| 武隆县| 岱山县| 黑河市| 湟中县| 安远县| 卫辉市| 长顺县| 织金县| 习水县| 柞水县| 青神县| 田林县| 扬州市| 额济纳旗| 和顺县| 波密县| 中山市| 藁城市| 红河县| 丹阳市| 潍坊市| 武冈市| 泸西县| 称多县| 吐鲁番市| 宁波市|