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晶體管 US5U29TR 半導體產品

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產品信息

US5U29TR介紹：

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Rohm SemIConductor

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態不適用於新設計

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 2.1nC @ 5V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 150pF @ 10V

FET 功能肖特基二極管（隔離式）

功率耗散（最大值） 1W（Ta）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 390 毫歐 @ 1A，4.5V

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 TUMT5

封裝/外殼 6-SMD（5引線），扁引線

比電子管可靠100倍，耐沖擊、耐振動，這都是電子管所無法比擬的。另外，晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設計小型、復雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密，但工序簡便，有利于提高元器件的安裝密度。

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