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晶體管 - FET US5U38TR MOSFET

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產品信息

US5U38TR介紹：

描述 MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細描述表面貼裝 P 溝道 20V 1A（Ta） 1W（Ta） TUMT5

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Rohm SemIConductor

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態不適用於新設計

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 390 毫歐 @ 1A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 150pF @ 10V

FET 功能肖特基二極管（隔離式）

功率耗散（最大值） 1W（Ta）

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 TUMT5

封裝/外殼 6-SMD（5引線），扁引線

以金氧半場效晶體管（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導體技術的進步，現代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。

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