制造商
ON SemIConductor
制造商零件編號
FDS6912A
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 6 周
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SO
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 N 溝道(雙)
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 6A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 28 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 8.1nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 575pF @ 15V 功率 - 最大值 900mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝 8-SO
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