STP25NM60N介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 STMICroelectronics
系列 FDmesh?? II
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 21A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 50V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 160W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 160 毫歐 @ 10.5A,10V
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3