集成電路(IC)
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NAND型閃存以塊(sector)為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行,如果目標區域已經有數據,必須先擦除后寫入,因此擦除操作是閃存的基本操作。一般每個塊包含32個512字節的頁(page),容量16KB;而大容量閃存采用2KB頁時,則每個塊包含64個頁,容量128KB。
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