S29GL512N11TFI020介紹:
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 GL-N
包裝 ? 托盤 ?
零件狀態 停產
存儲器類型 非易失
存儲器格式 閃存
技術 FLASH - NOR
存儲容量 512Mb (64M x 8,32M x 16)
寫周期時間 - 字,頁 110ns
訪問時間 110ns
存儲器接口 并聯
工作溫度 -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 56-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)
供應商器件封裝 56-TSOP
閃存的基本單元電路如下圖所示,與EEPROM類似,也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄,作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同,在第二級浮空柵加以正電壓,使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。