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晶體管IRF7341 FET

  • 類型:

    分立半導體產品

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產品信息

IRF7341介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 N 溝道(雙)
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 55V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 4.7A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 50 毫歐 @ 4.7A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V
功率 - 最大值 2W
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝 8-SO
基本零件編號 IRF7341PBF
晶體管有三個極;雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應晶體管的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
 
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公司介紹

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