IRF7201介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 7.3A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 28nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 30 毫歐 @ 7.3A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制
和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關,和一般機械開關(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。