IRF7205介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 4.6A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 870pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 70 毫歐 @ 4.6A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
晶體管有三個極;雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應晶體管的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。