FDA24N40F介紹:
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 UniFET??
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 400V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 23A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 3030pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 235W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 190 毫歐 @ 11.5A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-3PN
封裝/外殼 TO-3P-3,SC-65-3
場效應晶體管
(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件
。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極
,它的特點是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。場效應管可應用于放大電路,由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容
可以容量較小,不必使用電解電容器
。