RTE002P02介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Rohm SemIConductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計(jì)
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 200mA(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 1.5 歐姆 @ 200mA,4.5V
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 EMT3
封裝/外殼 SC-75,SOT-416
無論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長(zhǎng)100到1000倍,稱得起永久性 器件的美名。