FQB4N90介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 QFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 停產
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 900V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 4.2A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),140W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 3.3 歐姆 @ 2.1A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK(TO-263AB)
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
晶體管的低成本、靈活性和可靠性使得其成為非機械任務的通用器件,例如數字計算。在控制電器和機械方面,晶體管電路
也正在取代電機設備,因為它通常是更便宜、更有效地,僅僅使用標準集成電路并編寫計算機程序
來完成同樣的機械任務,使用電子控制,而不是設計一個等效的機械控制。