AOT410L介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Alpha & Omega SemIConductor Inc.
系列 SDMOS??
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 12A(Ta),150A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 7V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 129nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 7950pF @ 50V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),333W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 6.5 毫歐 @ 20A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220
封裝/外殼 TO-220-3
在這種檢波器里,有一根與礦石(半導體)表面相接觸的金屬絲
(像頭發一樣細且能形成檢波接點),它既能讓信號電流沿一個方向流動,又能阻止信號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰
爆發前夕,貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦
晶體性能更好的檢波材料時,發現摻有某種極微量雜質的鍺晶體
的性能不僅優于礦石晶體,而且在某些方面比電子管整流器還要好。