MJD50T4G 介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
晶體管類型 NPN
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 1A
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 400V
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值) 1V @ 200mA,1A
電流 - 集電極截止(最大值) 200μA
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值) 30 @ 300mA,10V
功率 - 最大值 1.56W
頻率 - 躍遷 10MHz
工作溫度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
供應商器件封裝 DPAK
基本零件編號 MJD50
無論多么優良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍,稱得起永久性 器件的美名。