NDH8304P介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 停產
FET 類型 2 個 P 溝道(雙)
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 2.7A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 70 毫歐 @ 2.7A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 865pF @ 10V 功率 - 最大值 800mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SMD,鷗翼
供應商器件封裝 SuperSOT?-8
晶體管有三個極;雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應晶體管的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。