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晶體管SI2308BDS-T1-GE3 FET

  • 類型:

    分立半導體產品

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產品信息

SI2308BDS-T1-GE3介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 2.3A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 6.8nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 190pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.09W(Ta),1.66W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 156 毫歐 @ 1.9A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23-3(TO-236)
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


嚴格意義上講,晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管
 
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公司介紹

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