IXFN72N55Q介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 HiPerFET??
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 550V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 72A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 258nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 10500pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 890W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 72 毫歐 @ 500mA,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 底座安裝
供應商器件封裝 SOT-227B
封裝/外殼 SOT-227-4,miniBLOC
比電子管可靠100倍,耐沖擊、耐振動,這都是電子管所無法比擬的。另外,晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一,放熱很少,可用于設計小型、復雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密,但工序簡便,有利于提高元器件的安裝密度。