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晶體管 FDC604P FET

  • 類型:

    分立半導體產品

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產品信息

FDC604P介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 5.5A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1926pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 33 毫歐 @ 5.5A,4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SuperSOT?-6
封裝/外殼 SOT-23-6 細型,TSOT-23-6



IDSM — 最大漏源電流.是一項極限參數,是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流.場效應管的工作電流不應超過IDSM。
 
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公司介紹

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