IRFR230BTM介紹:
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 7.5A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 720pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 400 毫歐 @ 3.75A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場(chǎng)效晶體管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET),而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的 氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場(chǎng)效晶體管元件時(shí)比較喜歡用IGFET,但是這些IGFET多半指的是MOSFET。