SGF23N60UFTU介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - UGBT,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 -
零件狀態 在售
IGBT 類型 -
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 23A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 92A
不同 Vge,Ic 時的 Vce(on) 2.6V @ 15V,12A
功率 - 最大值 75W
輸入類型 標準
25°C 時 Td(開/關)值 17ns/60ns
測試條件 300V,12A,23 歐姆,15V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
封裝/外殼 SC-94
供應商器件封裝 TO-3PF
基本零件編號 SG*23N60
早期MOSFET的柵極(gate electrode)使用金屬作為其材料,但隨著 半導體技術的進步,隨后MOSFET柵極使用多晶硅取代了金屬。在處理器中,多晶硅柵已經不是主流技術,從英特爾采用45納米線寬的P1266處理器開始,柵極開始重新使用金屬。