FQD2N100TM介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 QFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 1000V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 1.6A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 9 歐姆 @ 800mA,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
晶體管因為有三種極性,所以也有三種的使用方式,分別是發射極接地(又稱共射放大、CE組態)、基極接地(又稱共基放大、CB組態)和集電極接地(又稱共集放大、CC組態、發射極隨隅器)。