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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q62702-C327-V2 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨硅平面型晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/11頁(yè) |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-C327-V2 |
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-D107-V2 | PNP SILICON TRANSISTORS |
| Q62702-A1010 | Silicon PIN Diode (High voltage current controlled RF resistor for RF attenuator and swirches Freqency range above 1 MHz) |
| Q62702-A1017 | Silicon Dual Schottky Diode (High barrier diode for balanced mixers, phase detectors and modulators) |
| Q62702-A1025 | Silicon PIN Diode (PIN diode for high speed switching of RF signals Low forward resistance Very low capacitance For frequencies up to 3 GHz) |
| Q62702-A1028 | Silicon Schottky Diode (Low barrier diode for detectors up to GHz frequencies) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q62702-C327-V3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| Q62702-C361-X1 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR |
| Q62702-C362 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR |
| Q62702-C452 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) |
| Q62702-C619 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon AF Transistors (High current gain Low collector-emitter saturation voltage) |
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