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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q62702-F250 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | N-CHANNEL JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
| 中文描述： | N溝道結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-F250 |
BGC420
High Frequency Products
4
Edition A13, 05/99
Icc
mA
Vcc
V
Device Current
versus Rx and Temperature
Vcc=3V
6
5
4
3
2
1
0
7
8
1
2
3
Device Current
versus Voltage at Vc
Vcc=3V; Rx=82
W
mA
Icc
Rx
V
Vc
V
W
R x=56
R x=82
R x=120
R x=68 0
3
12
10
8
6
4
2
0
1
2
4
14
16
R x=33
Device Current
versus Device Voltage
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
14
6
4
2
0
12
10
8
50
250
450
650
Icc
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-F254 | N-CHANNEL JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
| Q62702-F589 | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
| Q62702-F59 | NPN Silicon Planar Transistors |
| Q62702-F622 | PNP Silicon Transistors (High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage) |
| Q62702-F626 | PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q62702-F254 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:N-CHANNEL JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
| Q62702-F296 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR FOR RF BROADBAND AMPLIFIER |
| Q62702-F311 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON RF TRANSISTOR |
| Q62702-F315 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON RF TRANSISTORS |
| Q62702-F316 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON RF TRANSISTORS |
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