- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361196 > Q62702-F250 (SIEMENS AG) N-CHANNEL JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS PDF資料下載
參數資料
| 型號： | Q62702-F250 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | N-CHANNEL JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
| 中文描述： | N溝道結場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 7/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-F250 |
BGC420
High Frequency Products
7
Edition A13, 05/99
SPICE Model
The following SPICE Listing describes the circuit shown in figure 3. It is valid for low frequencies. For
frequencies above 100MHz the parasitic circuit elements noted in figure 4 and table 1 should be added.
* Preliminary SPICE Model for BGC420 (valid for frequencies below 100MHz)
* SIEMENS HIGH FREQUENCY PRODUCTS
* Small Scale MMIC Design Group
.PARAM R=82
** Analysis setup **
*.TRAN 2ns 15u 0 2n
.TEMP +27
.DC LIN V1 0V 4V 0.1V
*.DC LIN V2 0V 3V 0.1V
.STEP PARAM R LIST 56 82 120 680
* Voltage supply
V1
Vcc 0
V2
Vc 0
*Vpul Vc 0
DC 3.0V
DC 0.0V
PULSE(0 3V 100ns 0 0 9us 1000m)
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc,4
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
vin
2
C6
Rin
C7
3
V
Rout
Figure. 3: Circuit used in the SPICE File
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-F254 | N-CHANNEL JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
| Q62702-F589 | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
| Q62702-F59 | NPN Silicon Planar Transistors |
| Q62702-F622 | PNP Silicon Transistors (High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage) |
| Q62702-F626 | PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q62702-F254 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:N-CHANNEL JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
| Q62702-F296 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR FOR RF BROADBAND AMPLIFIER |
| Q62702-F311 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON RF TRANSISTOR |
| Q62702-F315 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON RF TRANSISTORS |
| Q62702-F316 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON RF TRANSISTORS |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。