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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q62702-Y79-J |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨硅平面型晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/11頁(yè) |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-Y79-J |
BGC420
High Frequency Products
5
Edition A13, 05/99
Typical Application
Remarks:
1)
2)
3)
4)
To provide low frequency stability C2 should be 10 times C3.
Be aware that also coupling capacitors determine the switching times.
The collector current at Q1 can be estimated by Ic=0.6V / Rx[
W
].
Place C2 as close to the device as possible.
D1
D2
R1 (47k)
Q2
R2 (500R)
R3
10k
R4 (2k7)
Q1
Vc,8
Vb,3
GND,7,2
RFin,1
RFout,6
Vr,5
Vcc,4
on
off
C2, 1nF
L1,100nH
C3, 100pF
Rx
3
C4,150pF C5,100nF
Figure 1. Typical Application and Internal Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| Q62702-G0042 | Silicon Bipolar MMIC-Amplifier (Cascadable 50 W-gain block 11 dB typical gain at 1.0 GHz 9 dBm typical P-1dB at 1.0 GHz) |
| Q62702-G0043 | Silicon Bipolar MMIC-Amplifier (Cascadable 50 W-gain block 16 dB typical gain at 1.0 GHz 12 dBm typical P-1dB at 1.0 GHz) |
| Q62702-G0057 | Si-MMIC-Amplifierin SIEGET 25-Technologie (Cascadable 50 ヘ-gain block Unconditionally stable) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| Q62703Q0072 | 制造商:OSRAM 功能描述:GAAS INFRARED EMITTING DIODE ARRAYS 制造商:OSRAM 功能描述:LED IRLED 950NM 6PIN - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER ARRAY MINI GAAS 950NM |
| Q62703Q0073 | 制造商:OSRAM 功能描述:GAAS INFRARED EMITTING DIODE ARRAYS 制造商:OSRAM 功能描述:LED IRLED 950NM 6PIN - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR ARRAY 950NM MINI TH |
| Q62703Q0074 | 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR ARRAY 950NM MINI TH |
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