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參數資料
| 型號： | Q67040-S4116-A2 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | SIPMOS Power Transistor |
| 中文描述： | SIPMOS功率晶體管 |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | Q67040-S4116-A2 |
Semiconductor Group
2
29/Jan/1998
SPD13N05L
SPU13N05
L
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Values
Unit
Operating temperature
T
j
T
stg
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-55 ... + 175
°C
Storage temperature
-55 ... + 175
≤
4.3
≤
50
≤
100
Thermal resistance, junction - case
K/W
Thermal resistance, junction - ambient (PCB mount)**
Thermal resistance, junction - ambient
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
55 / 175 / 56
** when mounted on 1 " square PCB ( FR4 );for recommended footprint
Electrical Characteristics,
at
T
j
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Static Characteristics
Drain- source breakdown voltage
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25 mA,
T
j
= 25 °C
Gate threshold voltage
V
(BR)DSS
55
-
-
V
V
GS=
V
DS,
I
D
= 20 μA
Zero gate voltage drain current
V
GS(th)
1.2
1.6
2
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= -40 °C
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
Gate-source leakage current
I
DSS
-
-
-
-
0.1
-
100
1
0.1
μA
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
Drain-Source on-resistance
I
GSS
-
10
100
nA
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 8.8 A
V
GS
= 10 V,
I
D
= 8.8 A
R
DS(on)
-
-
0.062
0.105
0.07
0.12
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參數描述 |
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