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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67041-A4712-A2 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Fast S-IGBT in NPT-technology |
| 中文描述： | 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/12頁(yè) |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | Q67041-A4712-A2 |
SGP20N60
SGB20N60, SGW20N60
5
Mar-00
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
15V
13V
11V
9V
7V
5V
V
GE
=20V
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
15V
13V
11V
9V
7V
5V
V
GE
=20V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristics
(
T
j
= 25
°
C)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristics
(
T
j
= 150
°
C)
I
C
,
C
0V
2V
4V
6V
8V
10V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
-55°C
+150°C
T
j
=+25°C
V
C
,
C
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristics
(
V
CE
= 10V)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of junction
temperature
(
V
GE
= 15V)
I
C
= 20A
I
C
= 40A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67041-A4712-A4 | Fast S-IGBT in NPT-technology |
| Q67042-S4291 | OptiMOS2 Power-Transistor |
| Q67042S4291 | OptiMOS2 Power-Transistor |
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| Q67042-S4238 | OptiMOS2 Power-Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67041-A4712-A4 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast S-IGBT in NPT-technology |
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| Q67041-S2856-A001 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Chip in NPT-technology |
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