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參數資料
型號： Q67100-3035
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述： 256K x 16位江戶動態隨機存儲器
文件頁數： 23/53頁
文件大小： 418K
代理商： Q67100-3035
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
22
1. Bank Activate Command Cycle
2. Burst Read Operation
RC
"H" or "L"
t
T0
(CAS latency = 3)
Bank B
Row Addr.
Activate
Bank B
Address
Command
CLK
T
NOP
NOP
RCD
t
T1
Col. Addr.
Bank B
Write B
Precharge
T
SPT03784
Bank B
Row Addr.
Activate
Bank B
Row Addr.
Bank A
Activate
Bank A
T
NOP
RRD
t
T
T
SPT03712
CLK
Read A
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DOUT A3
CK2
latency = 2
t
, DQ’s
DOUT A1
DOUT A0
DOUT A2
DOUT A2
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
DOUT A0 DOUT A1
DOUT A3
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
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PDF描述
Q67100-3036 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
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Q67100-H3217 The CAT24FC02 is a 2-kb Serial CMOS EEPROM internally organized as 256 words of 8 bits each
Q67100-H3218 The CAT24FC02 is a 2-kb Serial CMOS EEPROM internally organized as 256 words of 8 bits each
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參數描述
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