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參數資料
型號： Q67100-Q1120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述： 3.3 4米× 4位江戶動態隨機存儲器
文件頁數： 25/53頁
文件大小： 418K
代理商： Q67100-Q1120
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
24
4 2. Minimum Read to Write Interval
4. 3. Non-Minimum Read to Write Interval
the Write Command
Must be Hi-Z before
Activate
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
CLK
DQM
Command
NOP
T0
T1
Bank A
NOP
DQZ
t
T2
T3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
SPT03939
DIN A3
1 Clk Interval
Read A
Write A
T4
T5
NOP
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
NOP
CAS
latency = 3
t
, DQ’s
CK3
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
DOUT A0
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CLK
DQM
Command
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DOUT A0
DOUT A1
DIN B0
DIN B0
DIN B1
DIN B1
SPT03940
DIN B2
DIN B2
Read A
DQZ
t
NOP
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
相關PDF資料
PDF描述
Q67100-Q1127 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1128 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1135 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67101-H5173-A701 DDC-PLUS-Deflection Controller
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相關代理商/技術參數
參數描述
Q67100-Q1127 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1128 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
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