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參數資料
型號： Q67100-Q1151
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh
中文描述： 200萬× 8 -位動態隨機存儲器2k刷新
文件頁數： 28/53頁
文件大小： 418K
代理商： Q67100-Q1151
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
27
7. Burst Write and Read with Auto Precharge
7.1 Burst Write with Auto-Precharge
7.2 Burst Read with Auto-Precharge
COMMAND
NOP
NOP
NOP
WRITE A
Auto-Precharge
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
BANK A
ACTIVE
NOP
NOP
DIN A0
DIN A1
DIN A0
DIN A1
*
*
DQ’s
CAS latency = 2
DQ’s
CAS latency = 3
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
t
WR
t
WR
t
RP
t
RP
NOP
COMMAND
READ A
with AP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
CK2,
DQ’s
CAS latency = 2
t
CK3,
DQ’s
CAS latency = 3
NOP
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
*
*
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
t
RP
t
RP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2,3)
相關PDF資料
PDF描述
Q67100-Q1152 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh
Q67100-Q1184 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1186 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1331 16 MBit Synchronous DRAM
Q67100-Q1333 16 MBit Synchronous DRAM
相關代理商/技術參數
參數描述
Q67100-Q1152 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh
Q67100-Q1184 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1186 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1323 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM
Q67100-Q1327 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM
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