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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q1184 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 3.3 4米× 4位江戶動態(tài)隨機(jī)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 28/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1184 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
27
7. Burst Write and Read with Auto Precharge
7.1 Burst Write with Auto-Precharge
7.2 Burst Read with Auto-Precharge
COMMAND
NOP
NOP
NOP
WRITE A
Auto-Precharge
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
BANK A
ACTIVE
NOP
NOP
DIN A0
DIN A1
DIN A0
DIN A1
*
*
DQ’s
CAS latency = 2
DQ’s
CAS latency = 3
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
t
WR
t
WR
t
RP
t
RP
NOP
COMMAND
READ A
with AP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
CK2,
DQ’s
CAS latency = 2
t
CK3,
DQ’s
CAS latency = 3
NOP
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
*
*
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
t
RP
t
RP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2,3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1186 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1331 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1333 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1335 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1337 | 16 MBit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1186 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1323 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1327 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1331 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1333 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
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