- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361234 > Q67100-Q1184 (SIEMENS AG) 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q1184 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 3.3 4米× 4位江戶動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 45/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1184 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁當(dāng)前第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
44
18. Random Row Read (Interleaving Banks) with Precharge
18.1 CAS Latency = 2
Ax2
t
BS
Addr.
DQ
DQM
AP
Bank B
Activate
Command
Hi-Z
Command
Bank B
Read
RBx
RBx
RCD
t
CBx
Read
Command
Activate
Command
Bank B
Bank A
Command
Bank A
Bx2
Bx0
AC2
Bx1
Activate
Bx3
Bx4
RAx
RAx
Command
Bank B
Precharge
Bx6
Bx5
Bx7
Ax0
Ax1
CAx
RP
t
RBy
RBy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
High
t
CK2
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
SPT03925
Bank B
Command
Ax5
Ax3
Ax4
Read
Ax6
Ax7
CBy
By1
By0
Burst Length = 8, CAS Latency = 2
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1186 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1331 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1333 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1335 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1337 | 16 MBit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1186 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1323 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1327 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1331 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1333 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。