- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361234 > Q67100-Q1186 (SIEMENS AG) 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM PDF資料下載
參數資料
| 型號： | Q67100-Q1186 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 3.3 4米× 4位江戶動態隨機存儲器 |
| 文件頁數： | 41/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1186 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁當前第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
40
16. Random Column Read (Page within same Bank)
16.1 CAS Latency = 2
Ay1
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Activate
Command
Bank A
Z
Hi
RAw
RAw
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
Read
Aw0 Aw1
CAw
CAx
Read
Command
Bank A
Aw3
Aw2
Ax0
Ax1 Ay0
CAy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Precharge
Command
Bank A
Ay2
Ay3
Activate
Command
Bank A
RAz
RAz
SPT03921
Read
Command
Bank A
CAz
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
Az3
Az0
Az1 Az2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1331 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1333 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1335 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1337 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q2001 | 8M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1323 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1327 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1331 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1333 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1335 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。