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參數(shù)資料
型號: Q67100-Q1186
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述: 3.3 4米× 4位江戶動態(tài)隨機(jī)存儲器
文件頁數(shù): 6/53頁
文件大小: 418K
代理商: Q67100-Q1186
HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
6
12.99
Block Diagram: 4 Bank
×
1M
×
16 SDRAM
Memory
Array
Bank 1
4096 x 256
x 16 Bit
Memory
Array
Bank 2
4096 x 256
x 16 Bit
Memory
Array
Bank 3
4096 x 256
x 16 Bit
SPB04120
Column Address
Counter
Row
Decoder
Memory
Array
Bank 0
4096 x 256
x 16 Bit
C
S
Row
Decoder
S
Row
Decoder
Row
Decoder
C
S
Row Address
Buffer
Column Address
Buffer
Refresh Counter
S
A0 - A11,
BA0, BA1
A0 - A7, AP,
BA0, BA1
Column Addresses
Row Addresses
Input Buffer
Output Buffer
DQ0 - DQ15
Control Logic &
Timing Generator
C
C
C
R
C
W
D
D
C
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q1331 16 MBit Synchronous DRAM
Q67100-Q1333 16 MBit Synchronous DRAM
Q67100-Q1335 16 MBit Synchronous DRAM
Q67100-Q1337 16 MBit Synchronous DRAM
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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Q67100-Q1331 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM
Q67100-Q1333 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM
Q67100-Q1335 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM
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