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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q2006 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 4米× 36位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 43/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2006 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
42
17. Random Column write (Page within same Bank)
17.1 CAS Latency = 2
DBy1
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Activate
Command
Bank A
Z
Hi
RAw
RAw
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
DBw0
DBw1
CAw
CAx
Write
Command
Bank B
DBw3
DBw2
DBx0
DBx1
DBy0
CAy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Precharge
Command
Bank B
DBy2
DBy3
Activate
Command
Bank B
RAz
RAz
SPT03923
Read
Command
Bank B
CAz
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
DBz1
DBz0
DBz2
DBz3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2007 | 8M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2067 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2068 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2069 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2072 | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2007 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2008 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2009 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2010 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2012 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-BIT DYNAMIC RAM LOW POWER 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM |
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