欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號(hào)： Q67100-Q2099
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module
中文描述： 8米× 32位江戶記憶體模組
文件頁(yè)數(shù)： 15/53頁(yè)
文件大小： 418K
代理商： Q67100-Q2099
HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
15
12.99
Electrical Characteristics
Absolute Maximum Ratings
Operating Temperature Range.......................................................................................0 to + 70
°
C
Storage Temperature Range..................................................................................
– 55 to + 150
°
C
Input/Output Voltage......................................................................................... – 0.3 to
V
DD
+ 0.3 V
Power Supply Voltage
V
DD
/
V
DDQ
.............................................................................. – 0.3 to + 4.6 V
Power Dissipation....................................................................................................................... 1 W
Data Out Current (short circuit)............................................................................................... 50 mA
Note:
Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent
damage of the device. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended
periods may affect device reliability.
Notes
1. All voltages are referenced to
V
SS
2.
V
IH
may overshoot to
V
DD
+ 2.0 V for pulse width of < 4 ns with 3.3 V.
V
IL
may undershoot to
– 2.0 V for pulse width < 4.0 ns with 3.3 V. Pulse width measured at 50% points with amplitude
measured peak to DC reference.
Recommended Operation and DC Characteristics
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
,
V
DDQ
= 3.3 V
±
0.3 V
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Notes
min.
max.
V
DD
+ 0.3
0.8
Input High Voltage
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I(L)
2.0
V
1, 2
Input Low Voltage
Output High Voltage (
I
OUT
= – 4.0 mA)
Output Low Voltage (
I
OUT
= 4.0 mA)
Input Leakage Current, any input
(0 V <
V
IN
<
V
DDQ
, all other inputs = 0 V)
Output Leakage Current
(DQ is disabled, 0 V <
V
OUT
<
V
DD
)
– 0.3
V
1, 2
2.4
–
V
–
–
0.4
V
μ
A
–
– 5
5
–
I
O(L)
– 5
5
μ
A
–
Capacitance
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
max.
Input Capacitance (CLK)
C
I1
C
I2
2.5
3.5
pF
Input Capacitance
(A0 - A11, BA0, BA1, RAS, CAS, WE, CS, CKE, DQM)
2.5
3.8
pF
Input/Output Capacitance (DQ)
C
IO
4.0
6.0
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q2100 256k x 16-Bit EDO-DRAM
Q67100-Q2116 1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2118 1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2120 1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2122 1M x 4-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
Q67100-Q2100 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM
Q67100-Q2116 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2118 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2120 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2122 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*
主站蜘蛛池模板： 云浮市| 河东区| 芦山县| 太康县| 望谟县| 滕州市| 扬州市| 夏邑县| 麟游县| 陈巴尔虎旗| 博客| 保靖县| 闽清县| 土默特左旗| 桦南县| 东兴市| 东山县| 龙陵县| 乌拉特后旗| 景泰县| 商河县| 化隆| 嘉黎县| 宁阳县| 朝阳市| 邵阳市| 分宜县| 偃师市| 东兴市| 耒阳市| 白银市| 武威市| 凭祥市| 娄底市| 北京市| 德江县| 荆州市| 土默特左旗| 静宁县| 桦南县| 托克逊县|