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參數資料
| 型號： | Q67100-Q2099 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 8米× 32位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數： | 28/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2099 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
27
7. Burst Write and Read with Auto Precharge
7.1 Burst Write with Auto-Precharge
7.2 Burst Read with Auto-Precharge
COMMAND
NOP
NOP
NOP
WRITE A
Auto-Precharge
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
BANK A
ACTIVE
NOP
NOP
DIN A0
DIN A1
DIN A0
DIN A1
*
*
DQ’s
CAS latency = 2
DQ’s
CAS latency = 3
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
t
WR
t
WR
t
RP
t
RP
NOP
COMMAND
READ A
with AP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
CK2,
DQ’s
CAS latency = 2
t
CK3,
DQ’s
CAS latency = 3
NOP
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
*
*
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
t
RP
t
RP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2,3)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2100 | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| Q67100-Q2116 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2118 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2120 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2122 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2100 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| Q67100-Q2116 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2118 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2120 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2122 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
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