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參數(shù)資料
型號(hào)： Q67100-Q2330
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module
中文描述： 8米× 32位江戶記憶體模組
文件頁(yè)數(shù)： 39/53頁(yè)
文件大小： 418K
代理商： Q67100-Q2330
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
38
14. Self Refresh (Entry and Exit)
BS
t
Self Refresh Exit
Command issued
Addr.
DQM
DQ
AP
Entry
Self Refresh
must be idle
All Banks
Hi-Z
~
~
~
~
~
~
~
SPT03919
Exit Command
Begin Self Refresh
SREX
t
RC
Self Refresh
Exit
Command
Any
T7
CS
CAS
WE
RAS
CKE
CLK
~
~
~
~
~
~
~
~
t
CKS
T0
T1
T2
~
~
T3
T4
~
~
T6
T5
T16
CKS
t
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q2366 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
Q67100-Q2367 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
Q67100-Q518 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q519 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q526 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
Q67100-Q2366 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
Q67100-Q2367 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
Q67100-Q2776 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM
Q67100-Q2781 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM
Q67100-Q2800 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM
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