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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2330 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 8米× 32位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數(shù)： | 47/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2330 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
46
19. Random Row Write (Interleaving Banks) with Precharge
19.1 CAS Latency = 2
DBx4
DAx1
BS
AP
Addr.
DQ
DQM
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Write
Command
Bank A
DAx0
RAx
RAx
RCD
t
CAx
Command
Bank A
Command
Bank B
Command
Bank B
DAx4
DAx2
DAx3
Activate
DAx5
DAx6
RBx
RBx
Command
Bank A
Precharge
Write
DBx0
DAx7
DBx1
Activate
DBx2
DBx3
WR
CBx
t
RP
t
RAy
RAy
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
T0
High
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Command
Bank A
SPT03927
Command
Bank B
Precharge
DBx7
DBx5
DBx6
Write
DAy0
DAy1
CAy
WR
t
DAy4
DAy3
DAy2
T19
Burst Length = 8, CAS Latency = 2
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2366 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q518 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q519 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q526 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2366 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2776 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q2781 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q2800 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
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