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參數資料
| 型號： | Q67100-Q2367 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| 中文描述： | 4米× 36位EDO公司-記憶體模組 |
| 文件頁數： | 23/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2367 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
22
1. Bank Activate Command Cycle
2. Burst Read Operation
RC
"H" or "L"
t
T0
(CAS latency = 3)
Bank B
Row Addr.
Activate
Bank B
Address
Command
CLK
T
NOP
NOP
RCD
t
T1
Col. Addr.
Bank B
Write B
Precharge
T
SPT03784
Bank B
Row Addr.
Activate
Bank B
Row Addr.
Bank A
Activate
Bank A
T
NOP
RRD
t
T
T
SPT03712
CLK
Read A
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DOUT A3
CK2
latency = 2
t
, DQ’s
DOUT A1
DOUT A0
DOUT A2
DOUT A2
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
DOUT A0 DOUT A1
DOUT A3
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| Q67100-Q526 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q527 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| Q67100-Q3017 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
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