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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q2367 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| 中文描述： | 4米× 36位EDO公司-記憶體模組 |
| 文件頁數(shù)： | 24/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2367 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
23
3. Read Interrupted by a Read
4. Read to Write Intrerval
4.1 Read to Write Interval
SPT03713
CLK
Read A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1 DOUT B2
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
latency = 2
, DQ’s
CK2
t
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
Read B
DOUT B3
DOUT B1
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B3
DOUT B2
Commands = 4 + 1 = 5 cycles
Minimum delay between the Read and Write
DOUT A0
DQ’s
(Burst Length = 4, CAS latency = 3)
DQMx
Command
CLK
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DIN B0
DIN B1
SPT03787
DIN B2
DQW
NOP
DQZ
t
NOP
t
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
Write latency
of DQMx
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q518 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q519 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q526 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q527 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q530 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2776 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q2781 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q2800 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q3016 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3017 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
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