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參數(shù)資料
型號(hào)： Q67100-Q537
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述： 256畝× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的低功耗256畝× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù)： 25/53頁(yè)
文件大小： 418K
代理商： Q67100-Q537
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
24
4 2. Minimum Read to Write Interval
4. 3. Non-Minimum Read to Write Interval
the Write Command
Must be Hi-Z before
Activate
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
CLK
DQM
Command
NOP
T0
T1
Bank A
NOP
DQZ
t
T2
T3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
SPT03939
DIN A3
1 Clk Interval
Read A
Write A
T4
T5
NOP
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
NOP
CAS
latency = 3
t
, DQ’s
CK3
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
DOUT A0
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CLK
DQM
Command
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DOUT A0
DOUT A1
DIN B0
DIN B0
DIN B1
DIN B1
SPT03940
DIN B2
DIN B2
Read A
DQZ
t
NOP
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q542 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q543 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q607 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q608 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q651 1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
Q67100-Q542 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q543 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q607 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q608 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q651 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module)
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