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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q537 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 256畝× 4位動態(tài)隨機存儲器的低功耗256畝× 4位動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 31/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q537 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
30
9.2 AC Parameters for a Read Timing
AC2
t
LZ
Hi-Z
DQ
Activate
Command
Bank A
Read with
Auto Precharge
Bank A
Command
DQM
Addr.
AP
t
RCD
t
t
AS
RAx
RAx
t
AH
CAx
RRD
t
Command
Bank B
Read with
Auto Precharge
Activate
Command
Bank B
Ax1
Ax0
Bx0
Activate
Command
Bank A
SPT03911
Bx1
t
AC2
OH
t
HZ
t
t
RAS
RC
t
RBx
RBx
RBx
HZ
t
RAy
RAy
T5
t
t
BS
WE
CAS
RAS
t
CS
CKE
CKS
t
CH
t
t
CS
CH
CL
CK2
CLK
T0
T1
T2
T3
T4
Precharge
Bank A
Begin Auto
Precharge
Bank B
Begin Auto
t
CKH
Burst Length = 2, CAS Latency = 2
T6
T7
T8
T10
T9
T11
T13
T12
RP
t
Precharge
Command
Bank A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q542 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q543 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q607 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q608 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q651 | 1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q542 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q543 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q607 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q608 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q651 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module) |
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