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參數資料
型號: Q67100-Q542
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述: 256畝× 4位動態隨機存儲器的低功耗256畝× 4位動態隨機存儲器
文件頁數: 23/53頁
文件大小: 418K
代理商: Q67100-Q542
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
22
1. Bank Activate Command Cycle
2. Burst Read Operation
RC
"H" or "L"
t
T0
(CAS latency = 3)
Bank B
Row Addr.
Activate
Bank B
Address
Command
CLK
T
NOP
NOP
RCD
t
T1
Col. Addr.
Bank B
Write B
Precharge
T
SPT03784
Bank B
Row Addr.
Activate
Bank B
Row Addr.
Bank A
Activate
Bank A
T
NOP
RRD
t
T
T
SPT03712
CLK
Read A
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DOUT A3
CK2
latency = 2
t
, DQ’s
DOUT A1
DOUT A0
DOUT A2
DOUT A2
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
DOUT A0 DOUT A1
DOUT A3
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
相關PDF資料
PDF描述
Q67100-Q543 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q607 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q608 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q651 1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module)
Q67100-Q727 256k x 16-Bit Dynamic RAM
相關代理商/技術參數
參數描述
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