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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q749 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 100萬× 4位動態(tài)隨機存儲器的低功耗100萬× 4位動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 22/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q749 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
21
Timing Diagrams
(cont’d)
18. Random Row Read ( Interleaving Banks) with Precharge
18.1 CAS Latency = 2
18.2 CAS Latency = 3
19. Random Row Write ( Interleaving Banks) with Precharge
19.1 CAS Latency = 2
19.2 CAS Latency = 3
20. Full Page Read Cycle
20.1 CAS Latency = 2
20.2 CAS Latency = 3
21. Full Page Write Cycle
21.1 CAS Latency = 2
21.2 CAS Latency = 3
22. Precharge Termination of a Burst
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PDF描述 |
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| Q67100-H3503 | 16 Kbit 2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus, Page Protection Mode |
| Q67100-H3504 | 16 Kbit 2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus, Page Protection Mode |
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參數(shù)描述 |
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